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 图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件(Hybrid IGBT)的应用
 
现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求，需要高性能与性价比兼具的主开关器件。为此，基本半导体推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。
 
该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使得IGBT的开关损耗大幅降低。这款混合碳化硅分立器件的性能介于超结MOSFET和高性能的碳化硅 MOSFET之间，在某些场合性价比更优于超结MOSFET和碳化硅MOSFET，可帮助客户在性能和成本之间取得更好的平衡，具有重要的应用价值，特别适用于对功率密度提升有需求，同时更强调性价比的电源应用领域，如车载电源充电机（OBC）、通信电源、高频DC-DC电源转换器、UPS等。
 
PFC技术趋势
在电源研发领域，尤其是在汽车OBC和通信电源应用领域，由于PFC拓扑的设计可直接影响到电力转换系统效率的高低，使得这一关键因素在... [详细介绍]